VT1060C-E3 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VT1060C-E3 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VT1060C-E3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A

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VT1060C-E3 Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

Ähnliche Teilenummer - VT1060C-E3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VT1060C-E3	202Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jan-2022
	VT1060C-E3/4W	173Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 08-Sep-09
	VT1060C-E3	202Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jan-2022

Ähnliche Beschreibung - VT1060C-E3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A Revision: 14-May-13
	VT1060C-M3	133Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A Revision: 15-Dec-16
	V30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 31-Jul-08
	VB30100S-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 15-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 11-Sep-13
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 14-Dec-16
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 14-May-13
	VB10170C-E3	93Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A Revision: 03-Jan-17
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A Revision: 09-Sep-13
	VE1045C-E3	133Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 2.5 A Revision: 20-Dec-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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